技術(shù)編號(hào)：6931935
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，特別涉及一種分離柵極式快閃存儲(chǔ)器以縮小存儲(chǔ)裝置的尺寸。以下配合圖1A到圖1F說(shuō)明公知分離柵極式快閃存儲(chǔ)器的形成方法。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1A，提供一基底10，例如一硅基底，在基底10上形成薄氧化硅層12，用于當(dāng)作隧穿氧化硅層(tunnel oxide)，例如在含氧的環(huán)境下，利用熱氧化法所形成。然后，利用化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition，CVD)形成復(fù)晶硅層14。接著，利用CVD法形成一遮蔽層16，例如氮...
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