技術(shù)編號：6931933
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種去除在對準(zhǔn)標(biāo)記上的殘留物質(zhì)的方法，特別涉及一種利用局部濕蝕刻的步驟來去除遮蔽對準(zhǔn)標(biāo)記上殘留物質(zhì)的方法。在各種平坦化方法中，化學(xué)性機(jī)械研磨(Chemical-Mechanical Polishing，CMP)技術(shù)挾其全面平坦化的優(yōu)勢，已成為目前生產(chǎn)線上重要的加工技術(shù)，而廣泛應(yīng)用于淺溝道隔離制作過程(STI)、金屬內(nèi)連導(dǎo)線制作過程(metalinterconnection)等方面。所謂的化學(xué)機(jī)械研磨，是一種利用類似磨刀這種機(jī)械事研磨的原理，配合適...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。