技術編號：6931672
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體，特別是指一種集成電路的內(nèi)建電感及利用深溝渠阻斷寄生電流的結構。有監(jiān)于此，本發(fā)明人為降低寄生電流的損失，避免電磁場感應的影響，本發(fā)明人經(jīng)不斷研究發(fā)現(xiàn)，采用深溝渠替代場氧化層，證實可達到降低寄生電流的功效。本發(fā)明涉及一種內(nèi)建電感元件的集成電路以及利用深溝渠阻斷寄生電流的結構。本發(fā)明一種集成電路的內(nèi)建電感及利用深溝渠阻斷寄生電流的結構，包含有內(nèi)建電感元件及阻斷該電感元件產(chǎn)生寄生損失電流的元件結構，其特征在于，至少包括一半導體基底；在所述基底上形...
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