技術(shù)編號(hào)：6931637
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于電力電子學(xué)領(lǐng)域，涉及功率模塊的封裝，具體地說是 一種功率端子直接鍵合的功率模塊。背景技術(shù)功率模塊包括絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊、二極管模塊， MOSFET模塊，智能功率(IPM)模塊等。這些功率模塊傳統(tǒng)的封裝 形式存在一些固有的缺點(diǎn)，現(xiàn)以圖2進(jìn)行說明。圖2所示的為傳統(tǒng)的 絕緣柵雙極型晶體管模塊封裝形式中。傳統(tǒng)的絕緣柵雙極型晶體管模 塊包括絕緣柵雙極型晶體管芯片7、 二極管芯片3、絕緣基板(DBC) 5、散熱板6、功率端子2、鋁線4、塑料外...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。