技術(shù)編號：6931391
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種薄膜太陽能電池制備方法，特別涉及制備CuInSe2基薄膜太陽能電池光 吸收層的方法。 背景技術(shù)銅銦硒(CuInSe2,簡稱CIS)基薄膜太陽電池是多元化合物半導(dǎo)體中最有代表性的光伏 器件。由于它具有高的轉(zhuǎn)換效率、低的制造成本以及性能穩(wěn)定等特點而成為國際光伏界研究 熱點之一，很有可能成為下一代的商品化薄膜太陽電池。光吸收層是CIS基薄膜太陽能電池的核心功能層，該層質(zhì)量直接影響電池的光電轉(zhuǎn)換效 率。CIS基薄膜太陽能電池光吸收層主要有CuI"(G...
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