技術(shù)編號(hào):6931135
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)與制造,特別涉及一種對(duì)晶片淺溝道隔 離槽加工過(guò)程進(jìn)行控制的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中,常常需要在晶片上通過(guò)蝕刻方式生成淺溝道隔離 槽(STI)結(jié)構(gòu)。對(duì)于同一種晶片來(lái)說(shuō),STI深度的不同會(huì)對(duì)晶片的性能造成顯著影響。因 此為了保證產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性,需要嚴(yán)格控制STI深度的變化范圍,使其均方差盡量小。但實(shí)際生產(chǎn)中,同一批次生產(chǎn)的晶片的STI深度往往變化很小,但不同批次生產(chǎn) 出來(lái)的同一種晶片的STI深度差別卻很大,這就會(huì)嚴(yán)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。