技術(shù)編號(hào)：6930990
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體輻照實(shí)驗(yàn)測(cè)試，尤其涉及一種采用環(huán)形柵結(jié)構(gòu)的PMOS 劑量計(jì)。背景技術(shù)對(duì)空間輻射環(huán)境的研究始于上世紀(jì)四十年代。隨著地球磁場(chǎng)俘獲帶電粒子形成的 強(qiáng)輻射帶(Van-Allen帶)的發(fā)現(xiàn)和相繼發(fā)生的輻射引起的衛(wèi)星運(yùn)行故障，空間輻射環(huán)境的 研究越來越受到重視，各種空間輻射探測(cè)技術(shù)和設(shè)備相繼得到了應(yīng)用，其中也包括一些用 于輻射總劑量監(jiān)測(cè)的技術(shù)，如熱釋光(TLD)劑量計(jì)、尼龍薄膜劑量計(jì)、G-M計(jì)數(shù)管、PIN 二極 管、半導(dǎo)體探測(cè)器等。這些技術(shù)雖然取得了一...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。