技術(shù)編號(hào)：6930703
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，屬 半導(dǎo)體光電子器件。 背景技術(shù)隨著高速寬帶光纖通信、數(shù)據(jù)處理和互聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的發(fā)展和高速光電接 口技術(shù)及光相控陣?yán)走_(dá)和射頻光纖傳輸?shù)刃骂I(lǐng)域的出現(xiàn)，迫切需求靈敏度高、 響應(yīng)度高、傳輸速率快和多波段探測的光電探測器。當(dāng)前高速銦鎵砷光電探測器有兩種結(jié)構(gòu)， 一種是在N+襯底上采用常規(guī)的 平面擴(kuò)散方法，將探測器光敏面縮小以減小寄生電容；另一種是在半絕緣襯 底上外延生成P型層，用臺(tái)面腐蝕方法形成有源區(qū)，并將壓焊點(diǎn)做在半絕緣 襯底上的臺(tái)面結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)充分...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。