技術編號：6930550
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種太陽電池吸收層薄膜的制備方法，特別是低溫下用孿生對靶濺射Fe-Si 組合耙制備窄帶隙卩-FeSi2薄膜的方法，是一種新穎的太陽電池制備技術，屬于新能源中薄膜 太陽電池的。背景技術在^的太陽輻射光譜中，可見光部分大概占48%, ^i提高電池效率，充分利用太陽光中 紅外和近紅外部分的光非常觀，逸就需要窄帶隙的光伏材料。低溫半導糊的鐵硅化^tl p-FeSi2 具有0.80-0.92eV的直接帶隙，對太陽光的響應極限擴展到了 1500nm左右，可以...
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