技術(shù)編號(hào)：6930408
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體物理和固態(tài)量子信息材料領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)制備GaAs基InAs量子環(huán)材料的方法。 背景技術(shù)半導(dǎo)體量子點(diǎn)和量子環(huán)等低維結(jié)構(gòu)是近年來半導(dǎo)體物理和固態(tài)量子信息材料領(lǐng)域最重要 研究?jī)?nèi)容之一，尤其是GaAs基InAs量子點(diǎn)和量子環(huán)材料及器件是國(guó)際上前沿的研究課題之 一。量子點(diǎn)具有類似于原子的分立能級(jí)，這使它的性質(zhì)遠(yuǎn)比高維度的量子阱和量子線更為獨(dú) 特，各種量子化效應(yīng)，諸如量子尺寸效應(yīng)、量子干涉效應(yīng)、...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。