技術(shù)編號：6930403
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器材料，屬于半導(dǎo)體激光器新型材料的外延生長。背景技術(shù)以半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)為有源區(qū)的激光器，理論上具有更低的閾值電流密度、更高的光增益、 更高的特征溫度和更寬的調(diào)制帶寬等優(yōu)點。近幾年，雖然通過采用低溫外延生長技術(shù)，AlGaAsSb緩沖層以及GaAsSb或高銦組分 InGaAs蓋層降低應(yīng)變技術(shù)等，GaAs基上InGaAs量子點結(jié)構(gòu)的室溫發(fā)光波長已經(jīng)覆蓋了 1.3pm和1.5pm這兩個重要的通訊窗口，但對于1.5pm高效率半導(dǎo)體激光器的突破性研究...
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