技術(shù)編號(hào)：6930045
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路器件，特別是涉及一種硅-鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。背景技術(shù)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)由寬禁帶的發(fā)射區(qū)，重?fù)诫s、帶隙較小的基區(qū)和寬禁帶 的集電區(qū)材料組成，如發(fā)射區(qū)由硅構(gòu)成、基區(qū)由硅鍺合金(通常簡(jiǎn)寫(xiě)為硅-鍺)構(gòu)成、集電 區(qū)由硅構(gòu)成的硅-鍺HBT。硅-鍺HBT的基區(qū)能帶間隙比發(fā)射區(qū)小，并且與硅集成電路工藝 完全兼容，適合制造高集成度、高速度、與硅半導(dǎo)體制造工藝高度兼容的半導(dǎo)體器件，被廣 泛應(yīng)用于高頻高速通信領(lǐng)域。請(qǐng)參閱圖1 (i)，這是一種...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。