技術(shù)編號：6930023
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝，特別是涉及一種溝槽的填充工藝。 背景技術(shù)采用APCVD(常壓化學氣相淀積)工藝或SACVD(亞常壓化學氣相淀積)工藝、 以TEOS(正硅酸乙酯，分子式為Si(C2H5O)4)和O3(臭氧)進行反應(yīng)淀積出的SiO2( 二氧化 硅)薄膜具有非常好的保形性，被廣泛的用于半導(dǎo)體集成電路中的溝槽填充。但是，APCVD TEOS-O3SiO2薄膜(即以APCVD工藝、以TEOS和O3為原料淀積的SiO2薄膜)和SACVD TEOS...
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