技術(shù)編號：6930019
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路中的溝槽填充工藝。技術(shù)背景 現(xiàn)有的一些半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品中，工作截止頻率越高，由于器件電容存在充放 電的延遲，必然要求器件整體的電容越低。在對電容以及高頻應(yīng)用要求不高的情況下，一般 直接使用二極管或者溝槽作為器件內(nèi)部或器件之間的隔離。其中溝槽中通常采用多晶硅材 料填充，這是因為多晶硅成長性能良好，臺階覆蓋率很高(接近100%)，能夠適合各種形狀 的溝槽填充而且淀積一次即可完成。但是多晶硅的介電系數(shù)比較高(> 10)，采用多...
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