技術編號：6930016
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種硅外延方法，特別涉及一種用于填充高深寬比溝槽的硅外延方法。背景技術超結結構的M0SFET器件的結構如圖1所示，在硅襯底10上的外延層12內(nèi)有溝槽 型的具有相反導電類型填充的外延溝道11，該導電型區(qū)域延生至外延層12上并在其內(nèi)制 備有與外延層12具有相同導電類型的阱區(qū)13，阱區(qū)13上設有多晶硅，而在兩個外延溝道上 方設有氧化硅層14及位于氧化硅層上的多晶硅16。一種常規(guī)的制造工藝(見圖2)是首 先在襯底硅片1上生長一層外延層2，然后再在合適的位...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。