技術編號：6929882
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及相變存儲器領域，尤其涉及一種相變存儲單元和其加熱層的制作方 法。背景技術相變存儲器是目前存儲器件中具有廣大發(fā)展前景的一種非揮發(fā)性存儲器件。相變 存儲器所具有的高速讀取、高重復性可擦寫的次數(shù)、元件尺寸小、功耗低、抗強震動和抗輻 射的優(yōu)點都使得相變存儲器備受存儲器制造商的青睞。相變存儲器技術的基本原理是以硫系化合物為存儲介質，利用電能(熱量)使相 變層在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間相互轉換實現(xiàn)信息的寫入與擦除，信息的讀出 則靠測量電阻的變化實現(xiàn)。...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。