技術編號：6929881
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件制造工藝，具體涉及一種窄溝槽(寬度小于等于0.10um)的制備方法。 背景技術某些半導體器件(例如閃存)需要在多晶硅膜層中形成一種窄溝槽結(jié)構，而且隨著半導體器件的特征尺寸(例如臨界尺寸)的持續(xù)減小，該窄 溝槽的寬度尺寸將降低到<=0. 10um,如圖l和圖2為窄溝槽的結(jié)構示意圖。而制造窄溝槽結(jié)構,需要在光刻中采用精度更高的昂貴設備或者更加 復雜的工藝技術來實現(xiàn)，因此，在現(xiàn)有的光刻設備和工藝條件下能夠形成 窄溝槽結(jié)構是有待研究的...
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