技術編號：6929477
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體制造方法及其器件，具體地說，涉及一種NROM的制造方法 及其器件。背景技術NROM(氮化物只讀存儲器)是一種非易失性只讀存儲器，它使用ONO(底層氧化 層-氮化硅層_頂層氧化層)絕緣層中的氮化硅層作為存儲單元，利用其固有的物理性質， 每個存儲單元含有兩個位(Bit)來存儲信息，相比其他非揮發(fā)半導體存儲器件，具有更高 的存儲密度，而且由于其存儲的電荷比較少，因而具有有較高的編程和擦除速度。請參閱圖1，圖1為現(xiàn)有技術中的NROM示意圖?，F(xiàn)有...
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