技術(shù)編號：6929471
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于發(fā)光二極管、激光器、光探測器、太陽能電池等半導(dǎo)體光電器件的量子 阱結(jié)構(gòu)及制造方法，尤其是指用于半導(dǎo)體光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)及制造方法。技術(shù)背景近年來，量子阱結(jié)構(gòu)特別是多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW Multi-Quantum-Well)的引入給半導(dǎo) 體光電器件，諸如發(fā)光二極管、激光器、光探測器等的發(fā)展注入了新的活力。多量子阱結(jié)構(gòu) 中由于兩種材料的禁帶寬度不同而引起的沿薄層交替生長方向的附加周期勢分布中的勢阱稱 為量子阱。勢阱層的禁帶寬度應(yīng)小于勢壘層的禁...
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