技術(shù)編號(hào):6929139
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元器件和超大規(guī)模集成電路制造業(yè)中的晶圓制備方法和技術(shù),主要應(yīng)用于(但不局限于)硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、鍺(Ge)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(1nP)等半導(dǎo)體材料的晶圓制備,是形成超薄晶圓的全新制備方法和技術(shù)。背景技術(shù)現(xiàn)行的晶圓(Wafer)制備技術(shù)存在著對(duì)半導(dǎo)體材料的極大浪費(fèi)和集成電路封裝中加工工藝的浪費(fèi)。眾所周知、半導(dǎo)體元器件和超大規(guī)模集成電路(VLSI)僅僅被制造在晶圓表面幾十微米的厚度內(nèi),但是因?yàn)樵谠骷图呻娐返闹圃爝^(guò)程中...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。