技術(shù)編號(hào)：6929130
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及接觸孔的制作工藝。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，為了達(dá)到更快的運(yùn)算速度、更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量 以及更多的功能，半導(dǎo)體芯片朝著高集成度方向發(fā)展，器件尺寸越來越小。在小尺寸的半導(dǎo)體器件制作工藝中(例如0. 13um及其以下)，存在不同器件之間 或者同一器件的源漏極與柵極共享接觸孔的情況，參考附圖1所示，即為同一器件的源漏 極與柵極共享接觸孔的情況。附圖1中所示的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底100以及位 于半導(dǎo)體襯底100上...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。