技術(shù)編號：6929097
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及發(fā)光二極管芯片制備方法，尤其是指提高芯片發(fā)光效率的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法。背景技術(shù)發(fā)光二極管具有體積小、效率高和壽命長等優(yōu)點，在交通指示、戶外全色顯示等領(lǐng)域有 著廣泛的應(yīng)用.尤其是利用大功率發(fā)光二極管可能實現(xiàn)半導(dǎo)體固態(tài)照明，引起人類照明史的革 命,從而逐漸成為目前電子學(xué)領(lǐng)域的研究熱點.為了獲得高亮度的LED,關(guān)鍵要提高器件的內(nèi)量 子效率和外量子效率.目前，芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素，其主要原因 是外延材料、襯底材料以及空氣之間的折射...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。