技術(shù)編號(hào):6929049
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種非揮發(fā)性只讀存儲(chǔ)器的制造過(guò)程,更具體地說(shuō),涉及一種可應(yīng)用自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物(Self-aligned Silicide,SALICIDE)的屏蔽式只讀存儲(chǔ)器(Mask Read Only Memory,MROM)的制造方法。其中,屏蔽式只讀存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)是多晶硅字符線(word line,WL)橫跨在位線(bit line,BL)的上方,存儲(chǔ)單元的信道區(qū)域則位于字符線所覆蓋的下方與位線之間的區(qū)域,以便于程序化階段選擇性地將離子植入到信道區(qū)域的表...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。