技術(shù)編號(hào)：6929046
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種形成半導(dǎo)體組件中的金屬硅化物的方法，其特別是關(guān)于一種形成屏蔽式只讀存儲(chǔ)器(mask ROM)中的金屬硅化物的方法。背景技術(shù)傳統(tǒng)屏蔽式只讀存儲(chǔ)器包含NOR-型與NAND型。NOR-型屏蔽式只讀存儲(chǔ)器是以并聯(lián)(in parallel)連接內(nèi)存晶體管的源極與汲極的方式形成。另一種以串聯(lián)(in series)方式連接內(nèi)存晶體管的源極與汲極的，則為NAND型屏蔽式只讀存儲(chǔ)器。然而，由于組件微型化(deviceminiaturization)，使得傳...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。