技術(shù)編號：6928856
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造，特別涉及具有應力的氮化硅層的半導體器件的制作方法。 背景技術(shù)目前，在制造半導體器件時，可使用氮化硅在晶體管溝道中引發(fā)應力，從而調(diào)節(jié)溝 道中載流子遷移率。所引發(fā)的應力取決于氮化硅本身的應力狀態(tài)和相關的這部分溝道的 相對位置。應力越大，溝道中載流子的遷移率越大?，F(xiàn)有技術(shù)中，形成具有應力的氮化硅 層的半導體器件工藝過程如圖1A至1E所示，在圖1A中，在半導體襯底1上形成柵極3，在 襯底1與柵極3之間為柵氧化層2。接下來如圖IB所示，在柵極3...
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