技術編號:6928615
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及發(fā)光二極管的制造及組裝領域,具體是以硅加工工藝為基礎, 將發(fā)光二極管直接倒裝于帶有反光杯的硅集成封裝結構中的一種發(fā)光二極管倒 裝焊集成封裝結構和制作方法。背景技術氮化鎵基(GaN)發(fā)光二極管(LED)的結構,大多是先在藍寶石(sapphire) 的基板上通過外延生長多層氮化鎵(GaN)的晶體層,然后通過制造工藝在LED 芯片的P型區(qū)域及N型區(qū)域上分別引出金屬電極,如圖l-l和l-2所示,在芯 片1上形成金屬電極--P電極2和N電極3。傳統(tǒng)的LED...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。