技術編號:6928533
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種芯片,尤其是涉及一種表面粗化的發(fā)光二極管芯片。 本發(fā)明還涉及一種芯片的制造方法,尤其是涉及一種表面粗化的發(fā)光二 極管芯片的制造方法。背景技術所謂的發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode)就是將具備直接能隙的半 導體材料做成P/N二極管,在熱平衡的條件下,大部份的電子沒有足夠的能 量躍升至導電帶。再施以順向徧壓,則電子會躍升至導電帶,而電子在原價 鍵帶上的原位置即產生空穴。在適當的徧壓下,電子、空穴便會在P/N界面 區(qū)域(P-N ...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。