技術(shù)編號(hào)：6927799
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電子器件制造領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體激光器， 尤其是一種新型低成本的疊層陣列式液體制冷半導(dǎo)體激光器及其制備方 法。背景技術(shù)半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管(LD)。進(jìn)入八十年代，人們吸收了半 導(dǎo)體物理發(fā)展的最新成果，采用了量子阱(QW)和應(yīng)變量子阱(SL-QW)等 新穎性結(jié)構(gòu)，引進(jìn)了折射率調(diào)制Bragg發(fā)射器以及增強(qiáng)調(diào)制Bragg發(fā)射 器最新技術(shù)，同時(shí)還發(fā)展了 MBE、 MOCVD及CBE等晶體生長(zhǎng)技術(shù)新工 藝，使得新的外延生長(zhǎng)工藝能夠精確地控制晶...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。