技術(shù)編號:6927352
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及, 特別是涉及對基板進行等離子體處理的基板處理裝置的電極單元。背景技術(shù)對半導(dǎo)體晶片進行等離子體處理的基板處理裝置,包括收容半導(dǎo) 體晶片的腔室、配置在該腔室內(nèi)且載置半導(dǎo)體晶片的載置臺、以及配 置成與該載置臺相對且向腔室內(nèi)供給處理氣體的噴淋頭。載置臺與高 頻電力源連接并用作下部電極,噴淋頭具有圓板狀的電極層并用作上 部電極。在基板處理裝置中,在載置臺以及噴淋頭的電極層之間施加 高頻電壓,腔室內(nèi)的處理氣體被激發(fā)而產(chǎn)生等離子體。由于電極層的溫度對等離子體...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。