技術(shù)編號(hào)：6926851
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)內(nèi)容涉及半導(dǎo)體器件并且更具體涉及半導(dǎo)體器件中的晶體管， 及其制造方法。背景技術(shù)近來(lái)，隨著半導(dǎo)體器件高度集成，設(shè)計(jì)規(guī)則不斷減小。減小的設(shè)計(jì)規(guī) 則通常導(dǎo)致限制如短溝道效應(yīng)和結(jié)漏電流。這樣的限制經(jīng)常劣化半導(dǎo)體器 件的刷新特征。因此，典型方法從通常的平面型結(jié)構(gòu)進(jìn)一步U并引入各 種晶體管結(jié)構(gòu)，包括凹陷型結(jié)構(gòu)、鰭型結(jié)構(gòu)和鞍鰭型結(jié)構(gòu)。制造凹陷型晶體管包括蝕刻有源區(qū)至一定深度和在襯底上形成柵電極 以增加溝道長(zhǎng)度和減小結(jié)漏電流。制造鰭型晶體管包括蝕刻器件隔離區(qū)至一定深...
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