技術(shù)編號(hào)：6926844
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，尤其是涉及在基板上形成 有半導(dǎo)體元件層的半導(dǎo)體元件以及其制造方法。 背景技術(shù)歷來眾所周知作為在基板上形成有半導(dǎo)體元件層的半導(dǎo)體元件有 發(fā)光二極管元件或半導(dǎo)體激光元件等。此已在例如特開平11一21479 號(hào)公報(bào)上公開。在上述特開平11一214798號(hào)公報(bào)上公開了在氮化物類半導(dǎo)體基板 上形成有多個(gè)氮化物類半導(dǎo)體層的氮化物類半導(dǎo)體激光元件。具體講， 在上述特開平11一21479S號(hào)公報(bào)上公開的氮化物類半導(dǎo)體激光元件 上，在n型GaN基板上順序形成n型...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。