技術(shù)編號：6926549
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法及一種具有溝槽柵電極的 半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)溝槽柵極型的功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 具有晶體管單元小型化的優(yōu)點。日本未審査專利公布No. 2000-31484 和其專利族的美國專利No. US 6,204,533 Bl公開了具有多個柵極部分 304A和304B的垂直型功率MOSFET，如圖1A和IB所示，所述304A 和304B是平行的并且是伸長的條帶狀。如圖1A所示，已知的垂直型功率MOSFET包括...
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