技術(shù)編號：6926547
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體科技，且特別是涉及一種。背景技術(shù)在半導(dǎo)體工藝中，不論是對芯片進行沉積工藝或是蝕刻工藝，所使用的反應(yīng)氣體 也會沉積在半導(dǎo)體機臺的反應(yīng)室的內(nèi)表面，而形成反應(yīng)室中微粒(particle)的來源。這些 微粒可能會掉落在后續(xù)處理的芯片上，使得芯片報銷，而大幅降低芯片的良率。因此，在半 導(dǎo)體機臺處理過一定數(shù)量的芯片之后，就必須對反應(yīng)室進行清潔處理，以除去附著在反應(yīng) 室內(nèi)表面的沉積物。 —般來說，會以三氟化氮(NF3)為清潔氣體(clean gas)...
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