技術(shù)編號：6925850
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，具體涉及一種在堆疊晶圓的狀態(tài)下實(shí)施晶背 研磨工序而簡化晶圓堆疊制作工序并減少制造費(fèi)用的。背景技術(shù)最近，隨著電子產(chǎn)品的高性能化及小型化需求越來越多，有關(guān)半導(dǎo)體封裝及其制 造方法的研究也越來越多，特別是，正在積極研究有關(guān)在晶圓級垂直堆疊若干個晶圓的晶 圓級封裝技術(shù)或者晶圓堆疊制作技術(shù)的研究。上述晶圓堆疊制作工序?qū)⒍询B厚度為大約50μπι 60μπι左右的晶圓。此時，通 過晶背研磨(back grinding)工序調(diào)整晶圓的厚度。附圖說明圖1至圖...
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