技術(shù)編號：6925757
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施方式涉及光電子器件，且具體地涉及經(jīng)由表面等離子體激元偏振 (surface ρlasmon polariton)增強(qiáng)的發(fā)光二極管。背景技術(shù)微電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)由對小型、高性能、低功耗的微電子器件的不斷增加的需求所驅(qū) 動。例如，微電子器件制造商可以制造具有大約50nm的尺寸的微處理器晶體管。然而，跨 越這些微處理器傳輸數(shù)字信息，且一般地，在位于相同電路板上的計(jì)算裝置和存儲裝置之 間傳輸數(shù)字信息時(shí)，存在相對大的延時(shí)。盡管銅和鋁線互連按慣例已經(jīng)被用于攜帶數(shù)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。