技術(shù)編號：6925380
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。具有光提取結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光器件背景相關(guān)技術(shù)描述包含發(fā)光二極管(LED)、諧振腔發(fā)光二極管(RCLED)、垂直腔激光二極管(VCSEL) 和邊發(fā)射激光器的半導體發(fā)光器件屬于當前可獲得的最高效的光源。在能夠跨過可見光譜 操作的高亮度發(fā)光器件的制造中，當前感興趣的材料體系包含III-V族半導體，特別是鎵、 鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金，它們也稱為III族氮化物材料。典型地，III族氮化物 發(fā)光器件是利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)...
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