技術(shù)編號：6925273
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請要求2007年12月10日提出的日本專利申請第2007-317913號以及2008 年6月16日提出的日本專利申請第2008-156240號的優(yōu)先權(quán)。在本說明書中以參照的方 式引用這些申請的全部內(nèi)容。本發(fā)明涉及一種具有溝槽柵的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。另外，本發(fā)明還涉及一 種制造溝槽柵的方法。背景技術(shù)在圖33中，模式化地表示了具有溝槽柵140的IGBT(Insulated GateBipolar Transistor 絕緣柵雙極性晶體管)100的主要部...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。