技術(shù)編號(hào):6925232
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及功率電子設(shè)備的領(lǐng)域,并且更加具體地涉及根據(jù)權(quán)利要求1引言的用 于制造可控穿通(punch-through)半導(dǎo)體器件的方法以及涉及根據(jù)權(quán)利要求15引言的可 控穿通半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)在US 6,482,681 Bl中描述了穿通(PT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。這樣的 PT-IGBT也在圖1中示意地示出。該器件通過(guò)使用η摻雜晶圓制造,用于在發(fā)射極側(cè)31(也 稱(chēng)為陰極側(cè))上制造層的所有過(guò)程在η摻雜晶圓頂部完成,即制造發(fā)射極側(cè)31上的所有結(jié) 和金屬...
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