技術(shù)編號：6925140
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種淺溝隔離(shallow trench isolation，STI)技術(shù)，特別是有關(guān)于一種于淺溝隔離區(qū)域的渠溝側(cè)壁與底部制作含有氮元素的氧化硅襯層的方法，即一種。參閱附圖說明圖1-圖7，其顯示傳統(tǒng)淺溝隔離制程的剖面示意圖。如圖1所示，一硅基底10的表面上包含有一墊氧化層12、一墊氮化層14、一SiON層16以及一光阻層18。然后，如圖2所示，進行微影制程，以于光阻層18上形成多數(shù)個開口20，而開口20的寬度是相當(dāng)于預(yù)定制作渠溝的寬度。跟著...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。