技術(shù)編號(hào)：6924980
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理設(shè)備領(lǐng)域，具體而言，本發(fā)明提供迄今為止不可實(shí)現(xiàn)的允 許高溫加載和卸載氣相外延生長(zhǎng)室的設(shè)備和方法。具體而言，本發(fā)明提供用于移動(dòng)晶片或 襯底的裝置，該裝置可以將移動(dòng)的襯底浸浴在任選地溫度受控的活性氣體中。背景技術(shù)在已知的臨界溫度以上時(shí)，化合物半導(dǎo)體的表面可能會(huì)由于例如一種或者更多種 更易揮發(fā)的物質(zhì)從該表面蒸發(fā)而被損壞或者破壞。該蒸發(fā)點(diǎn)的一種形式被稱為“升華”，特 別是“相容升華”。例如，在氮化鎵的情況下，在高于大約800°C的溫度時(shí)開始發(fā)生...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。