技術(shù)編號(hào)：6924652
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及III族氮化物電子器件及III族氮化物半導(dǎo)體外延襯底。 背景技術(shù)非專利文獻(xiàn)1中記載了異質(zhì)結(jié)場效晶體管(HFET)。為了在氮化鎵基HFET中獲得高輸出化，需要減少氮化鎵基電子器件中產(chǎn)生的電流崩塌。作為使氮化鎵基HFET以高頻、 大電流工作時(shí)產(chǎn)生的電流崩塌的產(chǎn)生原因之一，可以列舉因來自柵極端的電場的影響而使 電子在漏極附近的AlGaN區(qū)域中被捕獲。當(dāng)AlGaN表面的陷阱能級捕獲電子時(shí)，二維電子 氣的濃度減小，導(dǎo)致輸出的降低。非專利文獻(xiàn)1中記載了在以+...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。