技術(shù)編號(hào):6924496
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制作過(guò)程,特別涉及一種,進(jìn)而防止金屬線產(chǎn)生不良電性接觸而提高組件可靠度。為了進(jìn)一步了解本發(fā)明的背景,以下配合第1a到1d圖說(shuō)明已知形成具間隙壁的接觸窗的方法。首先,請(qǐng)參照附圖說(shuō)明圖1a,提供一基底100,例如一硅晶片,在基底100表面依序覆蓋有一第一介電層102,例如氧化硅層,及具有一開(kāi)口104a的一光阻圖案層104。此第一介電層102作為金屬層間介電層(interlayer dielectric,ILD)。接下來(lái),請(qǐng)參照?qǐng)D1b,以光阻...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。