技術(shù)編號：6923464
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，特別是涉及使用硅作為發(fā)電層的太陽電池的制造方法。 背景技術(shù)作為接受光而轉(zhuǎn)換成電力的光電轉(zhuǎn)換裝置，公知有太陽電池。太陽電池中，例如發(fā) 電層(光電轉(zhuǎn)換層)上層積有薄膜硅系的層的薄膜系太陽電池，與結(jié)晶系太陽電池比較具 有下述優(yōu)點(diǎn)，可以抑制硅的材料費(fèi)、能夠?qū)Υ竺娣e基板進(jìn)行制膜并得到大面積制品、在夏天 等高溫環(huán)境下也可以獲得高輸出，因此備受關(guān)注。 作為所述薄膜系太陽電池，公知有光電轉(zhuǎn)換層使用非結(jié)晶硅系(非晶質(zhì)硅系)的 層的薄膜系...
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