技術編號：6923134
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及一種非易失性存儲器，特別涉及一種利用選擇性生長的可逆電阻切換 元件的存儲器單元以及形成該存儲器單元的方法。背景技術由可逆電阻切換元件形成的非易失性存儲器是眾所周知的。例如，2005 年5月9日提交的名稱為"REWRITEABLE MEMORY CELLCOMPRISING A DIODE AND A RESISTANCE-SWITCHINGMATERIAL"的美國專利申請第11/125， 939號(下文中稱其為'939 申請)，通過參考整體合并于...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。