技術(shù)編號：6922934
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在氮化物半導(dǎo)體的ALN緩沖層上具備由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成 的層積體的。背景技術(shù)被稱為氮化鎵系化合物半導(dǎo)體，即、所謂的in-v族氮化物半導(dǎo)體(以 下稱為氮化物半導(dǎo)體)的半導(dǎo)體元件的開發(fā)正在廣泛進(jìn)行。氮化物半導(dǎo)體在作為照明用、背光燈用等光源而使用的藍(lán)色LED、多色化使用的LED、 LD等中被使用。由于氮化物半導(dǎo)體難于制造成大塊單晶，所以在藍(lán)寶石、 SiC等不同種類的襯底上利用MOCVD (有機(jī)金屬氣相生長法)來使GaN 生長。由于藍(lán)寶石村底在外延生長工序...
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