技術(shù)編號(hào)：6922553
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及適合于半導(dǎo)體薄膜結(jié)晶化的薄膜結(jié)晶化方法；以及采用該結(jié) 晶化方法的制造薄膜半導(dǎo)體裝置的方法、制造電子設(shè)備的方法和制造顯示裝 置的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體薄膜廣泛地用于薄膜晶體管(TFT)和太陽(yáng)能電池。特別是，采 用多晶硅(多晶Si)的多晶硅TFT與采用非晶硅的非晶硅TFT相比具有更 高的載流子遷移率。因此，多晶硅TFT廣泛地用作液晶顯示裝置、液晶投影 儀、采用有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)EL顯示裝置的開關(guān)元件或驅(qū)動(dòng)這些顯示 裝置的驅(qū)動(dòng)器的電路元件。所謂低溫多...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。