技術編號：6921426
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明有關于半導體發(fā)光二極管(LED)的電極構造及其制造方法，特別是有關適合疊層封裝的LED的電極的構造及其制造方法。發(fā)光二極管利用各種化合物半導體材料如III-V族材料、II-VI族材料等，以不同的結構如pn接面，雙異質接面(DH)及量子井(Quantumwell，QW)等以設計出紅、橙、黃、綠、藍、紫等各種顏色，以及紅外、紫外等不可見光的LED。適合制作1000mcd以上高亮度LED的材料，依其波長由長至短分別為AlGaAs，InGaAlP和InGaN...
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