技術(shù)編號(hào)：6921261
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。厚的贗晶I/f⑩外^相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)要求2007年1月26日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)No. 60/897， 572的;K^和優(yōu)先權(quán)，通過引用將其^p/^內(nèi)容并A^文。本i^斤/^Hf的技術(shù)總體涉及晶格失配的半"H^異質(zhì)結(jié)構(gòu)，更M涉及其厚度大于所預(yù)期的臨界厚度的贗晶層。背景技術(shù)對(duì)于實(shí)際商用的氮化物基的半^器件的制備而言，在整個(gè)半*有源器件層中獲得低缺陷密度是重要的。如美國專利申請(qǐng)No. 11/503， 660("'660申請(qǐng)")中所述，能夠形成U徑、低缺陷密度的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。