技術(shù)編號(hào)：6921249
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及通過濺射形成硫?qū)倩锬さ姆椒?，更詳?xì)地說，涉及可以形 成適用于相變存儲(chǔ)器等可非揮發(fā)工作的高集成度存儲(chǔ)器的記錄層、內(nèi)部無空 隙、裂紋等缺陷，致密且具有化學(xué)計(jì)量組成的硫?qū)倩锬さ耐ㄟ^賊射形成硫 屬化物膜的方法。此外，本發(fā)明涉及包括上述硫?qū)倩锬さ男纬煞椒ǖ挠涗浽闹圃旆?法，特別是涉及電阻變化型記錄元件的制造方法。本申請(qǐng)基于2007年1月25日在日本申請(qǐng)的日本特愿2007-15059號(hào)主 張優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容合并于此。背景技術(shù)近些年在攜帶用電話機(jī)、攜...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。