技術編號：6921247
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明關于一種。 背景技術專利文獻l日本特開2001 — 57441號公報 專利文獻2日本特開2002—334816號公報以(AlxGak)yln!-yP混晶(其中，0蕓x蕓l，0蕓ySl;以下，也記載為AlGalnP 混晶或僅記載為AlGalnP)形成發(fā)光層部的發(fā)光元件，可由釆用以帶隙大于薄 AlGalnP活性層的n型AlGalnP包覆層與p型AlGalnP包覆層，將薄AlGalnP 活性層夾持成三明治狀的雙異質(zhì)結構，來實現(xiàn)高輝度的組件。AlGalnP發(fā)...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。